Ram notebook 4gb/1600 Kingston DD3L DDR5 (KVR16N11S8/4)

Ram notebook 4gb/1600 Kingston DD3L DDR5

Hiệu năng mạnh mẽ - Đa nhiệm mượt mà - Tiết kiệm điện năng

Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên (RAM / ræm /) là một dạng bộ nhớ máy tính có thể đọc và thay đổi theo bất kỳ thứ tự nào, thường được sử dụng để lưu trữ dữ liệu làm việc và mã máy.Thiết bị bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên cho phép các mục dữ liệu được đọc hoặc ghi trong gần như cùng một khoảng thời gian bất kể vị trí vật lý của dữ liệu bên trong bộ nhớ. Thông thường, nhiều hơn một bit lưu trữ được truy cập bởi cùng một địa chỉ và các thiết bị RAM thường có nhiều dòng dữ liệu và được gọi là các thiết bị "8 bit" hoặc "16 bit", v.v.

Hay nói cụ thể hơn, RAM chỉ là nơi tạm nhớ những gì cần làm để CPU có thể xử lý nhanh hơn do tốc độ truy xuất trên RAM nhanh hơn rất nhiều lần so với ổ cứng (nơi thật sự lưu dữ liệu của bạn) hay các thiết bị lưu trữ khác như thẻ nhớ, đĩa quang.

Đến với Mega Đà Nẵng để dễ dàng lựa chọn những mẫu ram tốt nhất và giá thành ưu đãi đặc biệt nhé

Đem đến những trải nghiệm tốt nhất cho người dùng

Đặc điểm nổi bật của Ram notebook 4gb/1600 Kingston DD3L DDR5

Thông số chi tiết

Loại RAM : DDR3L

Công nghệ RAM : Non-ECC

Dung lượng : 4 GB

Bus : 1600 MHz

Độ trễ : 11-11-11-30

Điện áp : 1.5 V

Bộ nhớ RAM càng nhiều thì máy tính của bạn có thể mở cùng lúc nhiều ứng dụng mà không bị chậm. Nhìn chung thì thêm RAM cũng có thể làm cho một số ứng dụng chạy tốt hơn.

Hiệu suất mạnh mẽ 

Trong công nghệ ngày nay, bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên có dạng chip tích hợp (IC) với các tế bào bộ nhớ MOS (kim loại oxit-bán dẫn). RAM thường được liên kết với các loại bộ nhớ dễ bay hơi (như mô-đun DRAM), trong đó thông tin được lưu trữ bị mất nếu mất nguồn, mặc dù RAM không bay hơi cũng đã được phát triển.Các loại bộ nhớ không bay hơi khác tồn tại cho phép truy cập ngẫu nhiên cho các hoạt động đọc, nhưng không cho phép các hoạt động ghi hoặc có các loại hạn chế khác đối với chúng. Chúng bao gồm hầu hết các loại ROM và một loại bộ nhớ flash được gọi là NOR-Flash. Hai loại chính của bộ nhớ bán dẫn truy cập ngẫu nhiên dễ bay hơi là bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên tĩnh (SRAM) và bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM). Việc sử dụng RAM bán dẫn thương mại có từ năm 1965, khi IBM giới thiệu chip SP95 SRAM cho máy tính System / 360 Model 95 của họ và Toshiba đã sử dụng các tế bào bộ nhớ DRAM cho máy tính điện tử Toscal BC-1411, cả hai đều dựa trên các bóng bán dẫn lưỡng cực. Bộ nhớ MOS thương mại, dựa trên các bóng bán dẫn MOS, được phát triển vào cuối những năm 1960 và từ đó trở thành nền tảng cho tất cả các bộ nhớ bán dẫn thương mại. Chip IC DRAM thương mại đầu tiên, Intel 1103, được giới thiệu vào tháng 10 năm 1970. Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ (SDRAM) sau đó đã ra mắt với chip Samsung KM48SL2000 vào năm 1992.

Ngược lại, với các phương tiện lưu trữ dữ liệu truy cập trực tiếp khác như đĩa cứng, CD-RW, DVD-RW và băng từ và bộ nhớ trống cũ hơn, thời gian cần thiết để đọc và ghi các mục dữ liệu thay đổi đáng kể tùy thuộc vào vị trí vật lý của chúng trên phương tiện ghi, do những hạn chế cơ học như tốc độ quay phương tiện và chuyển động của cánh tay.RAM chứa mạch ghép kênh và phân kênh, để kết nối các dòng dữ liệu với bộ lưu trữ địa chỉ để đọc hoặc ghi mục nhập.